меню
Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
производитель
серия
упаковка
Статус
Пакет/кейс
Тип монтажа
Конфигурация
Рабочая Температура
Технологии
Мощность - Макс.
Напряжение стока к источнику (Vdss)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
Особенность полевого транзистора
Vgs(th) (Макс) @ Id
Пакет устройств поставщика
Оценка
Квалификация
Складские опции
Окружающая среда опции
медиа
рынок продукция
2 Результаты
Номер запчасти изготовителя количество цена серия упаковка Статус Пакет/кейс Тип монтажа Конфигурация Рабочая Температура Технологии Мощность - Макс. Напряжение стока к источнику (Vdss) Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds Rds включен (макс.) @ Id, Vgs Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Особенность полевого транзистора Vgs(th) (Макс) @ Id Пакет устройств поставщика Оценка Квалификация
1,486
In Stock
1 : $6.97
10 : $59.80
25 : $139.25
80 : $398.40
300 : $1,407.00
600 : $2,634.00
1,200 : $4,740.00
2,400 : $8,904.00
Tray
WiseGan™
Tray
Active
14-PowerLDFN Surface Mount - -40°C ~ 150°C (TJ) GaNFET (Gallium Nitride) - 650V 13A 92.7pF @ 400V - 2.75nC @ 6V - 2.2V @ 10mA 14-PQFN (6x8) - -
1,497
In Stock
1 : $6.42
10 : $53.90
25 : $127.25
80 : $348.80
230 : $947.60
440 : $1,707.20
1,500 : $4,980.00
3,000 : $9,390.00
Tray
WiseGan™
Tray
Active
14-PowerLDFN Surface Mount 2 P-Channel (Half Bridge) -40°C ~ 150°C (TJ) GaNFET (Gallium Nitride) - 750V 9A (Tj) 53.5pF @ 400V 250mOhm @ 2A, 6V 1.9nC @ 6V - 1.75V @ 10mA 14-PQFN (6x8) - -