Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы_полевые транзисторы, МОП-транзисторы_Транзисторы_深圳市集群科技有限公司-网站搭建_网站运营

Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы

упаковка

Коробка

Лента и катушка (TR)

Лента и коробка (ТБ)

Масса

Поднос

Полоска

Разрезанная лента (CT)

Сумка

Трубка

Статус

Active

Obsolete

Discontinued

Last Time Buy

Not For New Designs

Тип монтажа

Chassis Mount

Surface Mount

Surface Mount, Wettable Flank

Through Hole

Технологии

GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)

GaNFET (Gallium Nitride)

MOSFET (Metal Oxide)

SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

SiCFET (Cascode SiCJFET)

SiCFET (Silicon Carbide)

Тип полевого транзистора

N-Channel

P-Channel

Особенность полевого транзистора

Current Sensing

Depletion Mode

Logic Level Gate, 4V Drive

Schottky Diode (Body)

Schottky Diode (Isolated)

Temperature Sensing Diode

Оценка

Automotive

Military

Номер запчасти изготовителя	количество	цена	серия	упаковка	Статус	Пакет/кейс	Тип монтажа	Рабочая Температура	Технологии	Тип полевого транзистора	Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	Rds включен (макс.) @ Id, Vgs	Особенность полевого транзистора	Рассеиваемая мощность (макс.)	Vgs(th) (Макс) @ Id	Пакет устройств поставщика	Оценка	Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)	ВГС (Макс)	Напряжение стока к источнику (Vdss)	Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	Квалификация
TO220FMD10N65F MOSFET TO-220F N 650V 10A NextGen Components Спецификация	19,262 Marketplace	1,000 : $1,660.00 Tube	TO-220F	Tube	Active	-	-	-	MOSFET (Metal Oxide)	N-Channel	10A (Tc)	1Ohm @ 5A, 10V	-	-	-	-	-	10V	±30V	650 V	34.2 nC @ 10 V	-	-
TO220FMDD7N65F MOSFET TO-220F N 650V 7A NextGen Components Спецификация	30,912 Marketplace	1,000 : $1,660.00 Tube	TO-220F	Tube	Active	-	-	-	MOSFET (Metal Oxide)	N-Channel	7A (Tc)	1.4Ohm @ 3.5A, 10V	-	-	-	-	-	10V	±30V	650 V	20.7 nC @ 10 V	-	-
NC1M120C75GTNG SiC MOSFET N 1200V 75mohm 47A 3 NextGen Components Спецификация	2,407 Marketplace	100 : $2,685.00 Tube	NC1M	Tube	Active	TO-247-3	Through Hole	-55°C ~ 175°C (TJ)	SiCFET (Silicon Carbide)	N-Channel	47A (Tc)	75mOhm @ 20A, 20V	-	288W (Ta)	2.8V @ 5mA	TO-247-3L	-	20V	+20V, -5V	1200 V	-	1450 pF @ 1000 V	-
NC1M120C40HTNG SiC MOSFET N 1200V 40mohm 75A 4 NextGen Components Спецификация	2,407 Marketplace	100 : $3,685.00 Tube	NC1M	Tube	Active	TO-247-4	Through Hole	-55°C ~ 175°C (TJ)	SiCFET (Silicon Carbide)	N-Channel	75A (Tc)	40mOhm @ 35A, 20V	-	366W (Ta)	2.8V @ 10mA	TO-247-4L	-	20V	+20V, -5V	1200 V	-	2534 pF @ 1000 V	-
NC1M120C75HTNG SiC MOSFET N 1200V 75mohm 47A 4 NextGen Components Спецификация	2,407 Marketplace	100 : $2,685.00 Tube	NC1M	Tube	Active	TO-247-4	Through Hole	-55°C ~ 175°C (TJ)	SiCFET (Silicon Carbide)	N-Channel	47A (Tc)	75mOhm @ 20A, 20V	-	288W (Ta)	2.8V @ 5mA	TO-247-4L	-	20V	+20V, -5V	1200 V	-	1450 pF @ 1000 V	-
TO220FMD12N65F MOSFET TO-220F N 650V 12A NextGen Components Спецификация	6,757 Marketplace	1,000 : $1,760.00 Tube	TO-220F	Tube	Active	-	-	-	MOSFET (Metal Oxide)	N-Channel	12A (Tc)	0.8Ohm @ 6A, 10V	-	-	-	-	-	10V	±30V	650 V	41.9 nC @ 10 V	-	-
NC1M120C40GTNG SiC MOSFET N 1200V 40mohm 76A 3 NextGen Components Спецификация	2,407 Marketplace	100 : $3,685.00 Tube	NC1M	Tube	Active	TO-247-3	Through Hole	-55°C ~ 175°C (TJ)	SiCFET (Silicon Carbide)	N-Channel	76A (Tc)	40mOhm @ 35A, 20V	-	375W (Ta)	2.8V @ 10mA	TO-247-3L	-	20V	+20V, -5V	1200 V	-	2534 pF @ 1000 V	-
TO220FMDD4N65F MOSFET TO-220F N 650V 4A NextGen Components Спецификация	22,557 Marketplace	1,000 : $1,360.00 Tube	TO-220F	Tube	Active	-	-	-	MOSFET (Metal Oxide)	N-Channel	4A (Tc)	2.8Ohm @ 2A, 10V	-	-	-	-	-	10V	±30V	650 V	12 nC @ 10 V	-	-
NC1M120C12HTNG SiC MOSFET N 1200V 12mohm 214A NextGen Components Спецификация	2,407 Marketplace	100 : $8,685.00 Tube	NC1M	Tube	Active	TO-247-4	Through Hole	-55°C ~ 175°C (TJ)	SiCFET (Silicon Carbide)	N-Channel	214A (Tc)	20mOhm @ 100A, 20V	-	938W (Ta)	3.5V @ 40mA	TO-247-4L	-	20V	+20V, -5V	1200 V	-	8330 pF @ 1000 V	-
NC1M120C75RRNG SiC MOSFET N 1200V 75mohm 46A 7 NextGen Components Спецификация	2,407 Marketplace	100 : $2,585.00 Tape & Reel (TR)	NC1M	Tape & Reel (TR)	Active	TO-263-8, DPak (7 Leads + Tab)	Surface Mount	-55°C ~ 150°C (TJ)	SiCFET (Silicon Carbide)	N-Channel	46A (Tc)	75mOhm @ 20A, 18V	-	240W (Ta)	2.3V @ 5mA	TO-263-7L	-	18V	+18V, -5V	1200 V	-	1402 pF @ 1000 V	-

PACKAGING	QUANTITY	UNIT PRICE	EXT PRICE
{{ p.name }}	{{ numberFormat(p.buyQty) }}	{{ priceFormat(p.unitPrice) }}	{{ priceFormat(p.totalPrice) }}
Total Amount: {{ priceFormat(quotes.total) }} (including {{ priceFormat(quotes.fee) }} fee)

меню

Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы

производитель

серия

упаковка

Статус

Пакет/кейс

Тип монтажа

Рабочая Температура

Технологии

Тип полевого транзистора

Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C

Rds включен (макс.) @ Id, Vgs

Особенность полевого транзистора

Рассеиваемая мощность (макс.)

Vgs(th) (Макс) @ Id

Пакет устройств поставщика

Оценка

Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)

ВГС (Макс)

Напряжение стока к источнику (Vdss)

Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs

Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds

Квалификация

Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы

производитель

серия

упаковка

Статус

Пакет/кейс

Тип монтажа

Рабочая Температура

Технологии

Тип полевого транзистора

Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C

Rds включен (макс.) @ Id, Vgs

Особенность полевого транзистора

Рассеиваемая мощность (макс.)

Vgs(th) (Макс) @ Id

Пакет устройств поставщика

Оценка

Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)

ВГС (Макс)

Напряжение стока к источнику (Vdss)

Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs

Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds

Квалификация

Складские опции

Окружающая среда опции

медиа

рынок продукция