меню

NC1M120C75HTNG

номенклатурный номер
NC1M120C75HTNG
производитель NextGen Components
Прочие номера деталей
3372-NC1M120C75HTNG-ND
3372-NC1M120C75HTNG
описание SiC MOSFET N 1200V 75mohm 47A 4
подробное описание N-Channel 1200 V 47A (Tc) 288W (Ta) Through Hole TO-247-4L
Спецификация Datasheet

продуктовые свойства

категория
производитель NextGen Components
серия
NC1M
упаковка
Трубка
Статус Active
Пакет/кейс TO-247-4
Тип монтажа Through Hole
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
Тип полевого транзистора N-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 47A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 75mOhm @ 20A, 20V
Рассеиваемая мощность (макс.) 288W (Ta)
Vgs(th) (Макс) @ Id 2.8V @ 5mA
Пакет устройств поставщика TO-247-4L
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 20V
ВГС (Макс) +20V, -5V
Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1450 pF @ 1000 V

медиа и загрузка

Тип ресурса ссылка
Правила NC1M120C75HTNG

сектор окружающей среды и экспортные категории

свойство Описание
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (Unlimited)
Достигнуто состояние REACH REACH Unaffected
Состояние RoHS Соответствует стандарту RoHS

доступно для заказа

Упаковка количество единовременная цена Общий ценник
{{ p.name }} {{ numberFormat(p.buyQty) }} {{ priceFormat(p.unitPrice) }} {{ priceFormat(p.totalPrice) }}
Общий объем {{ priceFormat(quotes.total) }} (including {{ priceFormat(quotes.fee) }} fee)

{{ package.name }}

количество единовременная цена Общий ценник
{{ numberFormat(price.break_quantity) }} {{ priceFormat(price.unit_price) }} {{ priceFormat(price.break_quantity * price.unit_price) }}
Подробная информация о ценах пока отсутствует.
Временно невозможно получить информацию об упаковке