номенклатурный номер |
NC1M120C75HTNG
|
---|---|
производитель | NextGen Components |
Прочие номера деталей |
3372-NC1M120C75HTNG-ND
3372-NC1M120C75HTNG
|
описание | SiC MOSFET N 1200V 75mohm 47A 4 |
подробное описание | N-Channel 1200 V 47A (Tc) 288W (Ta) Through Hole TO-247-4L |
Спецификация | Datasheet |
категория | ||
---|---|---|
производитель | NextGen Components | |
серия |
NC1M
|
|
упаковка |
Трубка
|
|
Статус | Active | |
Пакет/кейс | TO-247-4 | |
Тип монтажа | Through Hole | |
Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Технологии | SiCFET (Silicon Carbide) | |
Тип полевого транзистора | N-Channel | |
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 47A (Tc) | |
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 75mOhm @ 20A, 20V | |
Рассеиваемая мощность (макс.) | 288W (Ta) | |
Vgs(th) (Макс) @ Id | 2.8V @ 5mA | |
Пакет устройств поставщика | TO-247-4L | |
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 20V | |
ВГС (Макс) | +20V, -5V | |
Напряжение стока к источнику (Vdss) | 1200 V | |
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 1450 pF @ 1000 V |
Тип ресурса | ссылка | |
---|---|---|
Правила | NC1M120C75HTNG |
свойство | Описание | |
---|---|---|
ECCN | EAR99 | |
HTSUS | 8541.29.0095 | |
Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (Unlimited) | |
Достигнуто состояние REACH | REACH Unaffected | |
Состояние RoHS | Соответствует стандарту RoHS |
количество | единовременная цена | Общий ценник |
---|---|---|
{{ numberFormat(price.break_quantity) }} | {{ priceFormat(price.unit_price) }} | {{ priceFormat(price.break_quantity * price.unit_price) }} |