номенклатурный номер |
AS1M025120T
|
---|---|
производитель | Anbon Semiconductor |
Прочие номера деталей |
4530-AS1M025120T-ND
4530-AS1M025120T
|
описание | N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER |
подробное описание | N-Channel 1200 V 65A (Tc) 370W (Tc) Through Hole TO-247-4 |
Стандартный срок поставки | 7 days |
Спецификация | Datasheet |
категория | ||
---|---|---|
производитель | Anbon Semiconductor | |
серия | ||
упаковка |
Трубка
|
|
Статус | Active | |
Пакет/кейс | TO-247-4 | |
Тип монтажа | Through Hole | |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Технологии | SiCFET (Silicon Carbide) | |
Тип полевого транзистора | N-Channel | |
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 65A (Tc) | |
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 34mOhm @ 50A, 20V | |
Рассеиваемая мощность (макс.) | 370W (Tc) | |
Vgs(th) (Макс) @ Id | 4V @ 15mA | |
Пакет устройств поставщика | TO-247-4 | |
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 20V | |
ВГС (Макс) | +25V, -10V | |
Напряжение стока к источнику (Vdss) | 1200 V | |
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 195 nC @ 20 V | |
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 4200 pF @ 1000 V |
Тип ресурса | ссылка | |
---|---|---|
Правила | AS1M025120T |
свойство | Описание | |
---|---|---|
ECCN | EAR99 | |
HTSUS | 8541.21.0095 | |
Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (Unlimited) | |
Состояние RoHS | Соответствует стандарту RoHS |
количество | единовременная цена | Общий ценник |
---|---|---|
{{ numberFormat(price.break_quantity) }} | {{ priceFormat(price.unit_price) }} | {{ priceFormat(price.break_quantity * price.unit_price) }} |