меню

AS1M025120T

номенклатурный номер
AS1M025120T
производитель Anbon Semiconductor
Прочие номера деталей
4530-AS1M025120T-ND
4530-AS1M025120T
описание N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
подробное описание N-Channel 1200 V 65A (Tc) 370W (Tc) Through Hole TO-247-4
Стандартный срок поставки 7 days
Спецификация Datasheet

продуктовые свойства

категория
производитель Anbon Semiconductor
серия
упаковка
Трубка
Статус Active
Пакет/кейс TO-247-4
Тип монтажа Through Hole
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
Тип полевого транзистора N-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 65A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 34mOhm @ 50A, 20V
Рассеиваемая мощность (макс.) 370W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 15mA
Пакет устройств поставщика TO-247-4
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 20V
ВГС (Макс) +25V, -10V
Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 195 nC @ 20 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 4200 pF @ 1000 V

медиа и загрузка

Тип ресурса ссылка
Правила AS1M025120T

сектор окружающей среды и экспортные категории

свойство Описание
ECCN EAR99
HTSUS 8541.21.0095
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (Unlimited)
Состояние RoHS Соответствует стандарту RoHS

текущий товар: 22

сразу отправляется
Упаковка количество единовременная цена Общий ценник
{{ p.name }} {{ numberFormat(p.buyQty) }} {{ priceFormat(p.unitPrice) }} {{ priceFormat(p.totalPrice) }}
Общий объем {{ priceFormat(quotes.total) }} (including {{ priceFormat(quotes.fee) }} fee)

{{ package.name }}

количество единовременная цена Общий ценник
{{ numberFormat(price.break_quantity) }} {{ priceFormat(price.unit_price) }} {{ priceFormat(price.break_quantity * price.unit_price) }}
Подробная информация о ценах пока отсутствует.
Временно невозможно получить информацию об упаковке