номенклатурный номер |
CGD65A055S2-T07
|
---|---|
производитель | Cambridge GaN Devices |
Прочие номера деталей |
4768-CGD65A055S2-T07TR-ND
4768-CGD65A055S2-T07CT-ND
4768-CGD65A055S2-T07DKR-ND
4768-CGD65A055S2-T07CT
4768-CGD65A055S2-T07TR
4768-CGD65A055S2-T07DKR
|
описание | 650V GAN HEMT, 55MOHM, DFN8X8. W |
подробное описание | 650 V 27A (Tc) Surface Mount 16-DFN (8x8) |
Стандартный срок поставки | 26 weeks |
категория | ||
---|---|---|
производитель | Cambridge GaN Devices | |
серия |
ICeGaN™
|
|
упаковка |
Лента и катушка (TR)
Разрезанная лента (CT)
|
|
Статус | Active | |
Пакет/кейс | 16-PowerVDFN | |
Тип монтажа | Surface Mount | |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Технологии | GaNFET (Gallium Nitride) | |
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 27A (Tc) | |
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 77mOhm @ 2.2A, 12V | |
Особенность полевого транзистора | Current Sensing | |
Vgs(th) (Макс) @ Id | 4.2V @ 10mA | |
Пакет устройств поставщика | 16-DFN (8x8) | |
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 12V | |
ВГС (Макс) | +20V, -1V | |
Напряжение стока к источнику (Vdss) | 650 V | |
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 6 nC @ 12 V |
Тип ресурса | ссылка |
---|
свойство | Описание | |
---|---|---|
ECCN | EAR99 | |
HTSUS | 8541.29.0095 | |
Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 3 (168 Hours) | |
Достигнуто состояние REACH | REACH Unaffected | |
Состояние RoHS | Соответствует стандарту RoHS |
количество | единовременная цена | Общий ценник |
---|---|---|
{{ numberFormat(price.break_quantity) }} | {{ priceFormat(price.unit_price) }} | {{ priceFormat(price.break_quantity * price.unit_price) }} |