меню

CGD65A055S2-T07

номенклатурный номер
CGD65A055S2-T07
производитель Cambridge GaN Devices
Прочие номера деталей
4768-CGD65A055S2-T07TR-ND
4768-CGD65A055S2-T07CT-ND
4768-CGD65A055S2-T07DKR-ND
4768-CGD65A055S2-T07CT
4768-CGD65A055S2-T07TR
4768-CGD65A055S2-T07DKR
описание 650V GAN HEMT, 55MOHM, DFN8X8. W
подробное описание 650 V 27A (Tc) Surface Mount 16-DFN (8x8)
Стандартный срок поставки 26 weeks

продуктовые свойства

категория
производитель Cambridge GaN Devices
серия
ICeGaN™
упаковка
Лента и катушка (TR)
Разрезанная лента (CT)
Статус Active
Пакет/кейс 16-PowerVDFN
Тип монтажа Surface Mount
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Технологии GaNFET (Gallium Nitride)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 27A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 77mOhm @ 2.2A, 12V
Особенность полевого транзистора Current Sensing
Vgs(th) (Макс) @ Id 4.2V @ 10mA
Пакет устройств поставщика 16-DFN (8x8)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 12V
ВГС (Макс) +20V, -1V
Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 6 nC @ 12 V

медиа и загрузка

Тип ресурса ссылка

сектор окружающей среды и экспортные категории

свойство Описание
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 3 (168 Hours)
Достигнуто состояние REACH REACH Unaffected
Состояние RoHS Соответствует стандарту RoHS

текущий товар: 744

сразу отправляется
Упаковка количество единовременная цена Общий ценник
{{ p.name }} {{ numberFormat(p.buyQty) }} {{ priceFormat(p.unitPrice) }} {{ priceFormat(p.totalPrice) }}
Общий объем {{ priceFormat(quotes.total) }} (including {{ priceFormat(quotes.fee) }} fee)

{{ package.name }}

количество единовременная цена Общий ценник
{{ numberFormat(price.break_quantity) }} {{ priceFormat(price.unit_price) }} {{ priceFormat(price.break_quantity * price.unit_price) }}
Подробная информация о ценах пока отсутствует.
Временно невозможно получить информацию об упаковке