меню

CGD65B130S2-T13

номенклатурный номер
CGD65B130S2-T13
производитель Cambridge GaN Devices
Прочие номера деталей
4768-CGD65B130S2-T13TR-ND
4768-CGD65B130S2-T13CT-ND
4768-CGD65B130S2-T13DKR-ND
4768-CGD65B130S2-T13TR
4768-CGD65B130S2-T13DKR
4768-CGD65B130S2-T13CT
описание 650V GAN HEMT, 130MOHM, DFN5X6.
подробное описание 650 V 12A (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6)
Стандартный срок поставки 26 weeks
Спецификация Datasheet

продуктовые свойства

категория
производитель Cambridge GaN Devices
серия
ICeGaN™
упаковка
Лента и катушка (TR)
Разрезанная лента (CT)
Статус Active
Пакет/кейс 8-PowerVDFN
Тип монтажа Surface Mount
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Технологии GaNFET (Gallium Nitride)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 12A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 182mOhm @ 900mA, 12V
Особенность полевого транзистора Current Sensing
Vgs(th) (Макс) @ Id 4.2V @ 4.2mA
Пакет устройств поставщика 8-DFN (5x6)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 9V, 20V
ВГС (Макс) +20V, -1V
Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 2.3 nC @ 12 V

медиа и загрузка

Тип ресурса ссылка
Правила CGD65B130S2-T13

сектор окружающей среды и экспортные категории

свойство Описание
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (Unlimited)
Достигнуто состояние REACH REACH Unaffected
Состояние RoHS Соответствует стандарту RoHS

текущий товар: 4892

сразу отправляется
Упаковка количество единовременная цена Общий ценник
{{ p.name }} {{ numberFormat(p.buyQty) }} {{ priceFormat(p.unitPrice) }} {{ priceFormat(p.totalPrice) }}
Общий объем {{ priceFormat(quotes.total) }} (including {{ priceFormat(quotes.fee) }} fee)

{{ package.name }}

количество единовременная цена Общий ценник
{{ numberFormat(price.break_quantity) }} {{ priceFormat(price.unit_price) }} {{ priceFormat(price.break_quantity * price.unit_price) }}
Подробная информация о ценах пока отсутствует.
Временно невозможно получить информацию об упаковке