номенклатурный номер |
CGD65B130S2-T13
|
---|---|
производитель | Cambridge GaN Devices |
Прочие номера деталей |
4768-CGD65B130S2-T13TR-ND
4768-CGD65B130S2-T13CT-ND
4768-CGD65B130S2-T13DKR-ND
4768-CGD65B130S2-T13TR
4768-CGD65B130S2-T13DKR
4768-CGD65B130S2-T13CT
|
описание | 650V GAN HEMT, 130MOHM, DFN5X6. |
подробное описание | 650 V 12A (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6) |
Стандартный срок поставки | 26 weeks |
Спецификация | Datasheet |
категория | ||
---|---|---|
производитель | Cambridge GaN Devices | |
серия |
ICeGaN™
|
|
упаковка |
Лента и катушка (TR)
Разрезанная лента (CT)
|
|
Статус | Active | |
Пакет/кейс | 8-PowerVDFN | |
Тип монтажа | Surface Mount | |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Технологии | GaNFET (Gallium Nitride) | |
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 12A (Tc) | |
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 182mOhm @ 900mA, 12V | |
Особенность полевого транзистора | Current Sensing | |
Vgs(th) (Макс) @ Id | 4.2V @ 4.2mA | |
Пакет устройств поставщика | 8-DFN (5x6) | |
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 9V, 20V | |
ВГС (Макс) | +20V, -1V | |
Напряжение стока к источнику (Vdss) | 650 V | |
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 2.3 nC @ 12 V |
Тип ресурса | ссылка | |
---|---|---|
Правила | CGD65B130S2-T13 |
свойство | Описание | |
---|---|---|
ECCN | EAR99 | |
HTSUS | 8541.29.0095 | |
Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (Unlimited) | |
Достигнуто состояние REACH | REACH Unaffected | |
Состояние RoHS | Соответствует стандарту RoHS |
количество | единовременная цена | Общий ценник |
---|---|---|
{{ numberFormat(price.break_quantity) }} | {{ priceFormat(price.unit_price) }} | {{ priceFormat(price.break_quantity * price.unit_price) }} |