номенклатурный номер |
G3R40MT12D
|
---|---|
производитель | GeneSiC Semiconductor |
Прочие номера деталей |
1242-G3R40MT12D-ND
1242-G3R40MT12D
|
описание | SIC MOSFET N-CH 71A TO247-3 |
подробное описание | N-Channel 1200 V 71A (Tc) 333W (Tc) Through Hole TO-247-3 |
Стандартный срок поставки | 26 weeks |
Спецификация | Datasheet |
категория | ||
---|---|---|
производитель | GeneSiC Semiconductor | |
серия |
G3R™
|
|
упаковка |
Трубка
|
|
Статус | Active | |
Пакет/кейс | TO-247-3 | |
Тип монтажа | Through Hole | |
Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Технологии | SiCFET (Silicon Carbide) | |
Тип полевого транзистора | N-Channel | |
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 71A (Tc) | |
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 48mOhm @ 35A, 15V | |
Рассеиваемая мощность (макс.) | 333W (Tc) | |
Vgs(th) (Макс) @ Id | 2.69V @ 10mA | |
Пакет устройств поставщика | TO-247-3 | |
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 15V | |
ВГС (Макс) | ±15V | |
Напряжение стока к источнику (Vdss) | 1200 V | |
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 106 nC @ 15 V | |
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 2929 pF @ 800 V |
Тип ресурса | ссылка | |
---|---|---|
Правила | G3R40MT12D |
свойство | Описание | |
---|---|---|
California Prop 65 | California Prop 65 Information | |
ECCN | EAR99 | |
HTSUS | 8541.29.0095 | |
Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (Unlimited) | |
Достигнуто состояние REACH | REACH Unaffected | |
Состояние RoHS | Соответствует стандарту RoHS |
количество | единовременная цена | Общий ценник |
---|---|---|
{{ numberFormat(price.break_quantity) }} | {{ priceFormat(price.unit_price) }} | {{ priceFormat(price.break_quantity * price.unit_price) }} |