номенклатурный номер |
G3S06504C
|
---|---|
производитель | Global Power Technology |
Прочие номера деталей |
3383-G3S06504C-ND
3383-G3S06504CTB
3383-G3S06504C
3383-G3S06504CCT
3383-G3S06504CTB-ND
3383-G3S06504C-ND
|
описание | DIODE SIL CARB 650V 11.5A TO252 |
подробное описание | Diode 650 V 11.5A Surface Mount TO-252 |
категория | ||
---|---|---|
производитель | Global Power Technology | |
серия | ||
упаковка |
Масса
|
|
Статус | Active | |
Пакет/кейс | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | |
Тип монтажа | Surface Mount | |
Скорость | No Recovery Time > 500mA (Io) | |
Время обратного восстановления (trr) | 0 ns | |
Технологии | SiC (Silicon Carbide) Schottky | |
Емкость @ Вр, Ф | 181pF @ 0V, 1MHz | |
Ток – средний выпрямленный (Io) | 11.5A | |
Пакет устройств поставщика | TO-252 | |
Рабочая температура - соединение | -55°C ~ 175°C | |
Напряжение — обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | 650 V | |
Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | 1.7 V @ 4 A | |
Ток – обратная утечка @ Vr | 50 µA @ 650 V |
Тип ресурса | ссылка |
---|
свойство | Описание | |
---|---|---|
ECCN | EAR99 | |
HTSUS | 8541.10.0080 | |
Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (Unlimited) | |
Достигнуто состояние REACH | REACH info available upon request |
количество | единовременная цена | Общий ценник |
---|---|---|
{{ numberFormat(price.break_quantity) }} | {{ priceFormat(price.unit_price) }} | {{ priceFormat(price.break_quantity * price.unit_price) }} |