меню

K4B4G1646E-BYK000

номенклатурный номер
K4B4G1646E-BYK000
производитель Samsung Semiconductor
Прочие номера деталей
3277-K4B4G1646E-BYK000-ND
3277-K4B4G1646E-BYK000
описание DDR3-1600 4GB (256MX16)1.25NS CL
подробное описание Memory IC 4Gbit Parallel 800 MHz

продуктовые свойства

категория
производитель Samsung Semiconductor
серия
упаковка
Поднос
Статус Active
Пакет/кейс 96-TFBGA
Тип монтажа Surface Mount
Объем памяти 4Gbit
Тип памяти Volatile
Рабочая Температура 0°C ~ 95°C
Напряжение питания 1.35V
Тактовая частота 800 MHz
Формат памяти DRAM
Интерфейс памяти Parallel
Организация памяти 256M x 16
Программируемый DigiKey Not Verified

медиа и загрузка

Тип ресурса ссылка

сектор окружающей среды и экспортные категории

свойство Описание
Достигнуто состояние REACH Vendor Undefined
Состояние RoHS Соответствует стандарту RoHS

доступно для заказа

Упаковка количество единовременная цена Общий ценник
{{ p.name }} {{ numberFormat(p.buyQty) }} {{ priceFormat(p.unitPrice) }} {{ priceFormat(p.totalPrice) }}
Общий объем {{ priceFormat(quotes.total) }} (including {{ priceFormat(quotes.fee) }} fee)

{{ package.name }}

количество единовременная цена Общий ценник
{{ numberFormat(price.break_quantity) }} {{ priceFormat(price.unit_price) }} {{ priceFormat(price.break_quantity * price.unit_price) }}
Подробная информация о ценах пока отсутствует.
Временно невозможно получить информацию об упаковке