номенклатурный номер |
K4B4G1646E-BYK000
|
---|---|
производитель | Samsung Semiconductor |
Прочие номера деталей |
3277-K4B4G1646E-BYK000-ND
3277-K4B4G1646E-BYK000
|
описание | DDR3-1600 4GB (256MX16)1.25NS CL |
подробное описание | Memory IC 4Gbit Parallel 800 MHz |
категория | ||
---|---|---|
производитель | Samsung Semiconductor | |
серия | ||
упаковка |
Поднос
|
|
Статус | Active | |
Пакет/кейс | 96-TFBGA | |
Тип монтажа | Surface Mount | |
Объем памяти | 4Gbit | |
Тип памяти | Volatile | |
Рабочая Температура | 0°C ~ 95°C | |
Напряжение питания | 1.35V | |
Тактовая частота | 800 MHz | |
Формат памяти | DRAM | |
Интерфейс памяти | Parallel | |
Организация памяти | 256M x 16 | |
Программируемый DigiKey | Not Verified |
Тип ресурса | ссылка |
---|
свойство | Описание | |
---|---|---|
Достигнуто состояние REACH | Vendor Undefined | |
Состояние RoHS | Соответствует стандарту RoHS |
количество | единовременная цена | Общий ценник |
---|---|---|
{{ numberFormat(price.break_quantity) }} | {{ priceFormat(price.unit_price) }} | {{ priceFormat(price.break_quantity * price.unit_price) }} |