номенклатурный номер |
MT54V512H36EF-5
|
---|---|
производитель | Micron Technology |
Прочие номера деталей |
2156-MT54V512H36EF-5-ND
CYPMCNMT54V512H36EF-5
2156-MT54V512H36EF-5
|
описание | IC SRAM 18MBIT HSTL 165FBGA |
подробное описание | SRAM - Synchronous Memory IC 18Mbit HSTL 200 MHz 2.2 ns 165-FBGA (13x15) |
категория | ||
---|---|---|
производитель | Micron Technology | |
серия |
QDR™
|
|
упаковка |
Масса
|
|
Статус | Active | |
Пакет/кейс | 165-TBGA | |
Тип монтажа | Surface Mount | |
Объем памяти | 18Mbit | |
Тип памяти | Volatile | |
Рабочая Температура | 0°C ~ 70°C (TA) | |
Напряжение питания | 2.4V ~ 2.6V | |
Технологии | SRAM - Synchronous | |
Тактовая частота | 200 MHz | |
Формат памяти | SRAM | |
Пакет устройств поставщика | 165-FBGA (13x15) | |
Интерфейс памяти | HSTL | |
Время доступа | 2.2 ns | |
Организация памяти | 512K x 36 | |
Программируемый DigiKey | Not Verified |
Тип ресурса | ссылка |
---|
свойство | Описание | |
---|---|---|
ECCN | 3A991B2A | |
HTSUS | 8542.32.0041 | |
Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 3 (168 Hours) | |
Достигнуто состояние REACH | REACH Unaffected | |
Состояние RoHS | RoHS non-compliant |
количество | единовременная цена | Общий ценник |
---|---|---|
{{ numberFormat(price.break_quantity) }} | {{ priceFormat(price.unit_price) }} | {{ priceFormat(price.break_quantity * price.unit_price) }} |