меню

NXH003P120M3F2PTNG

номенклатурный номер
NXH003P120M3F2PTNG
производитель Sanyo Semiconductor/onsemi
Прочие номера деталей
5556-NXH003P120M3F2PTNG-ND
5556-NXH003P120M3F2PTNG
488-NXH003P120M3F2PTNG-ND
488-NXH003P120M3F2PTNG
описание SILICON CARBIDE (SIC) MODULE EL
подробное описание Mosfet Array 1200V (1.2kV) 435A (Tj) 1.48kW (Tj) Chassis Mount 36-PIM (56.7x62.8)
Стандартный срок поставки 12 weeks

продуктовые свойства

категория
производитель Sanyo Semiconductor/onsemi
серия
упаковка
Поднос
Статус Active
Пакет/кейс Module
Тип монтажа Chassis Mount
Конфигурация 2 N-Channel (Half Bridge)
Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Технологии Silicon Carbide (SiC)
Мощность - Макс. 1.48kW (Tj)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200V (1.2kV)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 435A (Tj)
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 20889pF @ 800V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 5mOhm @ 200A, 18V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 1200nC @ 20V
Vgs(th) (Макс) @ Id 4.4V @ 160mA
Пакет устройств поставщика 36-PIM (56.7x62.8)

медиа и загрузка

Тип ресурса ссылка
Правила NXH003P120M3F2PTNG
видеофайл Enabling Future DCFC with onsemi’s EliteSiC Power Modules

сектор окружающей среды и экспортные категории

свойство Описание
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095
Уровень чувствительности к влаге (MSL) не поддерживается
Достигнуто состояние REACH REACH Unaffected
Состояние RoHS Соответствует стандарту RoHS

текущий товар: 27

сразу отправляется
Упаковка количество единовременная цена Общий ценник
{{ p.name }} {{ numberFormat(p.buyQty) }} {{ priceFormat(p.unitPrice) }} {{ priceFormat(p.totalPrice) }}
Общий объем {{ priceFormat(quotes.total) }} (including {{ priceFormat(quotes.fee) }} fee)

{{ package.name }}

количество единовременная цена Общий ценник
{{ numberFormat(price.break_quantity) }} {{ priceFormat(price.unit_price) }} {{ priceFormat(price.break_quantity * price.unit_price) }}
Подробная информация о ценах пока отсутствует.
Временно невозможно получить информацию об упаковке