номенклатурный номер |
NXH003P120M3F2PTNG
|
---|---|
производитель | Sanyo Semiconductor/onsemi |
Прочие номера деталей |
5556-NXH003P120M3F2PTNG-ND
5556-NXH003P120M3F2PTNG
488-NXH003P120M3F2PTNG-ND
488-NXH003P120M3F2PTNG
|
описание | SILICON CARBIDE (SIC) MODULE EL |
подробное описание | Mosfet Array 1200V (1.2kV) 435A (Tj) 1.48kW (Tj) Chassis Mount 36-PIM (56.7x62.8) |
Стандартный срок поставки | 12 weeks |
категория | ||
---|---|---|
производитель | Sanyo Semiconductor/onsemi | |
серия | ||
упаковка |
Поднос
|
|
Статус | Active | |
Пакет/кейс | Module | |
Тип монтажа | Chassis Mount | |
Конфигурация | 2 N-Channel (Half Bridge) | |
Рабочая Температура | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
Технологии | Silicon Carbide (SiC) | |
Мощность - Макс. | 1.48kW (Tj) | |
Напряжение стока к источнику (Vdss) | 1200V (1.2kV) | |
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 435A (Tj) | |
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 20889pF @ 800V | |
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 5mOhm @ 200A, 18V | |
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 1200nC @ 20V | |
Vgs(th) (Макс) @ Id | 4.4V @ 160mA | |
Пакет устройств поставщика | 36-PIM (56.7x62.8) |
Тип ресурса | ссылка | |
---|---|---|
Правила | NXH003P120M3F2PTNG | |
видеофайл | Enabling Future DCFC with onsemi’s EliteSiC Power Modules |
свойство | Описание | |
---|---|---|
ECCN | EAR99 | |
HTSUS | 8541.29.0095 | |
Уровень чувствительности к влаге (MSL) | не поддерживается | |
Достигнуто состояние REACH | REACH Unaffected | |
Состояние RoHS | Соответствует стандарту RoHS |
количество | единовременная цена | Общий ценник |
---|---|---|
{{ numberFormat(price.break_quantity) }} | {{ priceFormat(price.unit_price) }} | {{ priceFormat(price.break_quantity * price.unit_price) }} |