меню

RN2118MFV(TPL3)

номенклатурный номер
RN2118MFV(TPL3)
производитель Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Прочие номера деталей
RN2118MFV(TPL3)TR-ND
RN2118MFV(TPL3)CT-ND
RN2118MFV(TPL3)DKR-ND
RN2118MFV(TPL3)CT
RN2118MFV(TPL3)DKR
RN2118MFV(TPL3)-ND
RN2118MFV(TPL3)TR
описание TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
подробное описание Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount VESM
Спецификация Datasheet

продуктовые свойства

категория
производитель Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
серия
упаковка
Лента и катушка (TR)
Разрезанная лента (CT)
Статус Active
Пакет/кейс SOT-723
Тип монтажа Surface Mount
Тип транзистора PNP - Pre-Biased
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 5mA
Ток-отсечка коллектора (макс.) 500nA
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 50 @ 10mA, 5V
Пакет устройств поставщика VESM
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 100 mA
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 50 V
Мощность - Макс. 150 mW
Резистор — база (R1) 47 kOhms
Резистор — база эмиттера (R2) 10 kOhms

медиа и загрузка

Тип ресурса ссылка
Правила RN2118MFV(TPL3)

сектор окружающей среды и экспортные категории

свойство Описание
ECCN EAR99
HTSUS 8541.21.0095
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (Unlimited)
Состояние RoHS Соответствует стандарту RoHS

текущий товар: 3007

сразу отправляется
Упаковка количество единовременная цена Общий ценник
{{ p.name }} {{ numberFormat(p.buyQty) }} {{ priceFormat(p.unitPrice) }} {{ priceFormat(p.totalPrice) }}
Общий объем {{ priceFormat(quotes.total) }} (including {{ priceFormat(quotes.fee) }} fee)

{{ package.name }}

количество единовременная цена Общий ценник
{{ numberFormat(price.break_quantity) }} {{ priceFormat(price.unit_price) }} {{ priceFormat(price.break_quantity * price.unit_price) }}
Подробная информация о ценах пока отсутствует.
Временно невозможно получить информацию об упаковке