номенклатурный номер |
RN2118MFV(TPL3)
|
---|---|
производитель | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
Прочие номера деталей |
RN2118MFV(TPL3)TR-ND
RN2118MFV(TPL3)CT-ND
RN2118MFV(TPL3)DKR-ND
RN2118MFV(TPL3)CT
RN2118MFV(TPL3)DKR
RN2118MFV(TPL3)-ND
RN2118MFV(TPL3)TR
|
описание | TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM |
подробное описание | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount VESM |
Спецификация | Datasheet |
категория | ||
---|---|---|
производитель | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | |
серия | ||
упаковка |
Лента и катушка (TR)
Разрезанная лента (CT)
|
|
Статус | Active | |
Пакет/кейс | SOT-723 | |
Тип монтажа | Surface Mount | |
Тип транзистора | PNP - Pre-Biased | |
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA | |
Ток-отсечка коллектора (макс.) | 500nA | |
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 5V | |
Пакет устройств поставщика | VESM | |
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 100 mA | |
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 50 V | |
Мощность - Макс. | 150 mW | |
Резистор — база (R1) | 47 kOhms | |
Резистор — база эмиттера (R2) | 10 kOhms |
Тип ресурса | ссылка | |
---|---|---|
Правила | RN2118MFV(TPL3) |
свойство | Описание | |
---|---|---|
ECCN | EAR99 | |
HTSUS | 8541.21.0095 | |
Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (Unlimited) | |
Состояние RoHS | Соответствует стандарту RoHS |
количество | единовременная цена | Общий ценник |
---|---|---|
{{ numberFormat(price.break_quantity) }} | {{ priceFormat(price.unit_price) }} | {{ priceFormat(price.break_quantity * price.unit_price) }} |