номенклатурный номер |
RN2427TE85LF
|
---|---|
производитель | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
Прочие номера деталей |
264-RN2427TE85LFTR-ND
264-RN2427TE85LFCT-ND
264-RN2427TE85LFDKR-ND
264-RN2427TE85LFCT
RN2427TE85LF-ND
264-RN2427TE85LFTR
RN2427(TE85L,F)
264-RN2427TE85LFDKR
|
описание | TRANS PREBIAS PNP 50V 0.8A SMINI |
подробное описание | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 800 mA 200 MHz 200 mW Surface Mount S-Mini |
Стандартный срок поставки | 40 weeks |
Спецификация | Datasheet |
категория | ||
---|---|---|
производитель | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | |
серия | ||
упаковка |
Лента и катушка (TR)
Разрезанная лента (CT)
|
|
Статус | Active | |
Пакет/кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
Тип монтажа | Surface Mount | |
Тип транзистора | PNP - Pre-Biased | |
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 50mA | |
Ток-отсечка коллектора (макс.) | 500nA | |
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 90 @ 100mA, 1V | |
Пакет устройств поставщика | S-Mini | |
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 800 mA | |
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 50 V | |
Мощность - Макс. | 200 mW | |
Частота – переход | 200 MHz | |
Резистор — база (R1) | 2.2 kOhms | |
Резистор — база эмиттера (R2) | 10 kOhms |
Тип ресурса | ссылка | |
---|---|---|
Правила | RN2427TE85LF |
свойство | Описание | |
---|---|---|
ECCN | EAR99 | |
HTSUS | 8541.21.0075 | |
Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (Unlimited) | |
Достигнуто состояние REACH | REACH Unaffected | |
Состояние RoHS | Соответствует стандарту RoHS |
количество | единовременная цена | Общий ценник |
---|---|---|
{{ numberFormat(price.break_quantity) }} | {{ priceFormat(price.unit_price) }} | {{ priceFormat(price.break_quantity * price.unit_price) }} |