меню

VS-GT200TS065N

номенклатурный номер
VS-GT200TS065N
производитель Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Прочие номера деталей
112-VS-GT200TS065N-ND
112-VS-GT200TS065N
описание MODULES IGBT - IAP IGBT
подробное описание IGBT Module Trench Half Bridge Inverter 650 V 193 A 517 W Chassis Mount INT-A-PAK IGBT
Стандартный срок поставки 15 weeks
Спецификация Datasheet

продуктовые свойства

категория
производитель Vishay General Semiconductor – Diodes Division
серия
FRED Pt®
упаковка
Коробка
Статус Active
Пакет/кейс Module
Тип монтажа Chassis Mount
Вход Standard
Конфигурация Half Bridge Inverter
Рабочая Температура -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 200A
НТЦ-термистор No
Пакет устройств поставщика INT-A-PAK IGBT
Тип БТИЗ Trench
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 193 A
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 650 V
Мощность - Макс. 517 W
Ток-отсечка коллектора (макс.) 100 µA

медиа и загрузка

Тип ресурса ссылка
Правила VS-GT200TS065N

сектор окружающей среды и экспортные категории

свойство Описание
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (Unlimited)
Состояние RoHS Соответствует стандарту RoHS

текущий товар: 23

сразу отправляется
Упаковка количество единовременная цена Общий ценник
{{ p.name }} {{ numberFormat(p.buyQty) }} {{ priceFormat(p.unitPrice) }} {{ priceFormat(p.totalPrice) }}
Общий объем {{ priceFormat(quotes.total) }} (including {{ priceFormat(quotes.fee) }} fee)

{{ package.name }}

количество единовременная цена Общий ценник
{{ numberFormat(price.break_quantity) }} {{ priceFormat(price.unit_price) }} {{ priceFormat(price.break_quantity * price.unit_price) }}
Подробная информация о ценах пока отсутствует.
Временно невозможно получить информацию об упаковке