меню

WNSC2D12650TJ

номенклатурный номер
WNSC2D12650TJ
производитель WeEn Semiconductors Co., Ltd
Прочие номера деталей
1740-WNSC2D12650TJTR-ND
1740-WNSC2D12650TJCT-ND
1740-WNSC2D12650TJDKR-ND
1740-WNSC2D12650TJTR
1740-WNSC2D12650TJCT
934072782118
1740-WNSC2D12650TJDKR
описание DIODE SIL CARBIDE 650V 12A 5DFN
подробное описание Diode 650 V 12A Surface Mount 5-DFN (8x8)
Стандартный срок поставки 36 weeks
Спецификация Datasheet

продуктовые свойства

категория
производитель WeEn Semiconductors Co., Ltd
серия
упаковка
Лента и катушка (TR)
Разрезанная лента (CT)
Статус Active
Пакет/кейс 4-VSFN Exposed Pad
Тип монтажа Surface Mount
Скорость No Recovery Time > 500mA (Io)
Время обратного восстановления (trr) 0 ns
Технологии SiC (Silicon Carbide) Schottky
Емкость @ Вр, Ф 380pF @ 1V, 1MHz
Ток – средний выпрямленный (Io) 12A
Пакет устройств поставщика 5-DFN (8x8)
Рабочая температура - соединение 175°C
Напряжение — обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) 650 V
Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If 1.7 V @ 12 A
Ток – обратная утечка @ Vr 60 µA @ 650 V

медиа и загрузка

Тип ресурса ссылка
Правила WNSC2D12650TJ

сектор окружающей среды и экспортные категории

свойство Описание
ECCN EAR99
HTSUS 8541.10.0080
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (Unlimited)

текущий товар: 2992

сразу отправляется
Упаковка количество единовременная цена Общий ценник
{{ p.name }} {{ numberFormat(p.buyQty) }} {{ priceFormat(p.unitPrice) }} {{ priceFormat(p.totalPrice) }}
Общий объем {{ priceFormat(quotes.total) }} (including {{ priceFormat(quotes.fee) }} fee)

{{ package.name }}

количество единовременная цена Общий ценник
{{ numberFormat(price.break_quantity) }} {{ priceFormat(price.unit_price) }} {{ priceFormat(price.break_quantity * price.unit_price) }}
Подробная информация о ценах пока отсутствует.
Временно невозможно получить информацию об упаковке