￥ 人民币 $ USD € 欧元
简体中文 Русский English Deutsch
13826519287
меню
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
производитель
серия
упаковка
Статус
Пакет/кейс
Тип монтажа
Рабочая Температура
Технологии
Тип полевого транзистора
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
Особенность полевого транзистора
Рассеиваемая мощность (макс.)
Vgs(th) (Макс) @ Id
Пакет устройств поставщика
Оценка
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
ВГС (Макс)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
Квалификация
Складские опции
Окружающая среда опции
медиа
рынок продукция
122 Результаты
Номер запчасти изготовителя количество цена серия упаковка Статус Пакет/кейс Тип монтажа Рабочая Температура Технологии Тип полевого транзистора Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C Rds включен (макс.) @ Id, Vgs Особенность полевого транзистора Рассеиваемая мощность (макс.) Vgs(th) (Макс) @ Id Пакет устройств поставщика Оценка Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) ВГС (Макс) Напряжение стока к источнику (Vdss) Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds Квалификация
AS1M025120P
AS1M025120P
N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
Anbon Semiconductor
131
In Stock
1 : $38.03
10 : $338.00
100 : $2,956.00
Tube
Tube
Active
 TO-247-3 Through Hole -55°C ~ 150°C (TJ) SiCFET (Silicon Carbide) N-Channel 90A (Tc) 34mOhm @ 50A, 20V - 463W (Tc) 4V @ 15mA TO-247-3 - 20V +25V, -10V 1200 V 195 nC @ 20 V 3600 pF @ 1000 V -
AS2M040120P
AS2M040120P
N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
Anbon Semiconductor
57
In Stock
1 : $20.69
10 : $183.90
100 : $1,608.00
500 : $6,860.00
Bulk
Bulk
Active
 TO-247-3 Through Hole -55°C ~ 150°C (TJ) SiCFET (Silicon Carbide) N-Channel 60A (Tc) 55mOhm @ 40A, 20V - 330W (Tc) 4V @ 10mA TO-247-3 - 20V +25V, -10V 1200 V 142 nC @ 20 V 2946 pF @ 1000 V -
AS1M025120T
AS1M025120T
N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
Anbon Semiconductor
22
In Stock
1 : $38.05
10 : $338.10
100 : $2,957.00
Tube
Tube
Active
 TO-247-4 Through Hole -55°C ~ 150°C (TJ) SiCFET (Silicon Carbide) N-Channel 65A (Tc) 34mOhm @ 50A, 20V - 370W (Tc) 4V @ 15mA TO-247-4 - 20V +25V, -10V 1200 V 195 nC @ 20 V 4200 pF @ 1000 V -
AS1M080120P
AS1M080120P
N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
Anbon Semiconductor
99
In Stock
1 : $11.51
10 : $101.40
100 : $877.00
500 : $3,975.00
1,000 : $7,290.00
Tube
Tube
Active
 TO-247-3 Through Hole -55°C ~ 150°C (TJ) SiCFET (Silicon Carbide) N-Channel 36A (Tc) 98mOhm @ 20A, 20V - 192W (Tc) 4V @ 5mA TO-247-3 - 20V +25V, -10V 1200 V 79 nC @ 20 V 1475 pF @ 1000 V -
AS1M040120T
AS1M040120T
N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
Anbon Semiconductor
24
In Stock
1 : $20.71
10 : $184.10
100 : $1,610.00
500 : $6,870.00
Tube
Tube
Active
 TO-247-4 Through Hole -55°C ~ 150°C (TJ) SiCFET (Silicon Carbide) N-Channel 60A (Tc) 55mOhm @ 40A, 20V - 330W (Tc) 4V @ 10mA TO-247-4 - 20V +25V, -10V 1200 V 142 nC @ 20 V 2946 pF @ 1000 V -
AS3401
AS3401
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Anbon Semiconductor
58,770
In Stock
3,000 : $150.00
6,000 : $240.00
9,000 : $360.00
30,000 : $1,200.00
75,000 : $2,250.00
150,000 : $4,500.00
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Active
 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Surface Mount 150°C (TJ) MOSFET (Metal Oxide) P-Channel 4.4A (Ta) 55mOhm @ 4.4A, 10V - 1.2W (Ta) 1.4V @ 250µA SOT-23 - 2.5V, 10V ±12V 30 V 7.2 nC @ 10 V 680 pF @ 15 V -
2N7002EY
2N7002EY
N-CHANNEL SMD MOSFET ESD PROTECT
Anbon Semiconductor
17,631
In Stock
3,000 : $60.00
6,000 : $120.00
9,000 : $180.00
30,000 : $600.00
75,000 : $1,500.00
150,000 : $1,500.00
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Active
 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Surface Mount 150°C (TJ) MOSFET (Metal Oxide) N-Channel 340mA (Ta) 5Ohm @ 300mA, 10V - 350mW (Ta) 2.5V @ 250µA SOT-23 - 4.5V, 10V ±20V 60 V 2.4 nC @ 10 V 18 pF @ 30 V -
BSS138
BSS138
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Anbon Semiconductor
114,769
In Stock
3,000 : $90.00
6,000 : $180.00
9,000 : $180.00
30,000 : $600.00
75,000 : $1,500.00
150,000 : $1,500.00
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Active
 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Surface Mount 150°C (TJ) MOSFET (Metal Oxide) N-Channel 220mA (Ta) 3Ohm @ 500mA, 10V - 350mW (Ta) 1.6V @ 250µA SOT-23 - 4.5V, 10V ±20V 50 V - 27 pF @ 25 V -
AS3400
AS3400
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Anbon Semiconductor
6,454
In Stock
3,000 : $150.00
6,000 : $240.00
9,000 : $360.00
30,000 : $1,200.00
75,000 : $2,250.00
150,000 : $4,500.00
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Active
 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Surface Mount 150°C (TJ) MOSFET (Metal Oxide) N-Channel 5.6A (Ta) 27mOhm @ 5.6A, 10V - 1.2W (Ta) 1.5V @ 250µA SOT-23 - 2.5V, 10V ±12V 30 V 4.8 nC @ 4.5 V 535 pF @ 15 V -
AS2312
AS2312
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Anbon Semiconductor
22,443
In Stock
3,000 : $150.00
6,000 : $240.00
9,000 : $360.00
30,000 : $900.00
75,000 : $2,250.00
150,000 : $4,500.00
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Active
 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Surface Mount 150°C (TJ) MOSFET (Metal Oxide) N-Channel 6.8A (Ta) 18mOhm @ 6.8A, 4.5V - 1.2W (Ta) 1V @ 250µA SOT-23 - 1.8V, 4.5V ±10V 20 V 11.05 nC @ 4.5 V 888 pF @ 10 V -