Номер запчасти изготовителя | количество | цена | серия | упаковка | Статус | Пакет/кейс | Тип монтажа | Рабочая Температура | Технологии | Тип полевого транзистора | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Особенность полевого транзистора | Рассеиваемая мощность (макс.) | Vgs(th) (Макс) @ Id | Пакет устройств поставщика | Оценка | Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | ВГС (Макс) | Напряжение стока к источнику (Vdss) | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Квалификация |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
744
In Stock
|
1,000 :
$9,540.00
Tape & Reel (TR)
|
ICeGaN™
|
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
|
Active
|
16-PowerVDFN | Surface Mount | -55°C ~ 150°C (TJ) | GaNFET (Gallium Nitride) | - | 27A (Tc) | 77mOhm @ 2.2A, 12V | Current Sensing | - | 4.2V @ 10mA | 16-DFN (8x8) | - | 12V | +20V, -1V | 650 V | 6 nC @ 12 V | - |
-
|
|
3,359
In Stock
|
3,500 :
$11,620.00
Tape & Reel (TR)
|
ICeGaN™
|
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
|
Active
|
16-PowerVDFN | Surface Mount | -55°C ~ 150°C (TJ) | GaNFET (Gallium Nitride) | - | 12A (Tc) | 182mOhm @ 900mA, 12V | Current Sensing | - | 4.2V @ 4.2mA | 16-DFN (8x8) | - | 12V | +20V, -1V | 650 V | 2.3 nC @ 12 V | - |
-
|
|
4,892
In Stock
|
5,000 :
$15,000.00
Tape & Reel (TR)
|
ICeGaN™
|
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
|
Active
|
8-PowerVDFN | Surface Mount | -55°C ~ 150°C (TJ) | GaNFET (Gallium Nitride) | - | 12A (Tc) | 182mOhm @ 900mA, 12V | Current Sensing | - | 4.2V @ 4.2mA | 8-DFN (5x6) | - | 9V, 20V | +20V, -1V | 650 V | 2.3 nC @ 12 V | - |
-
|
|
4,362
In Stock
|
5,000 :
$10,650.00
Tape & Reel (TR)
|
ICeGaN™
|
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
|
Active
|
8-PowerVDFN | Surface Mount | -55°C ~ 150°C (TJ) | GaNFET (Gallium Nitride) | - | 8.5A (Tc) | 280mOhm @ 600mA, 12V | Current Sensing | - | 4.2V @ 2.75mA | 8-DFN (5x6) | - | 9V, 20V | +20V, -1V | 650 V | 1.4 nC @ 12 V | - |
-
|